norフラッシュとは？初心者でもわかる基本と使い道を徹底解説共起語・同意語・対義語も併せて解説！

この記事を書いた人

高岡智則

年齢：33歳性別：男性職業：Webディレクター（兼ライティング・SNS運用担当）居住地：東京都杉並区・永福町の1LDKマンション出身地：神奈川県川崎市身長：176cm 体系：細身〜普通（最近ちょっとお腹が気になる）血液型：A型誕生日：1992年11月20日最終学歴：明治大学・情報コミュニケーション学部卒通勤：京王井の頭線で渋谷まで（通勤20分）家族構成：一人暮らし、実家には両親と2歳下の妹恋愛事情：独身。彼女は2年いない（本人は「忙しいだけ」と言い張る）

norフラッシュとは？基礎知識

norフラッシュは不揮発性の記憶装置の一種です。電源を切ってもデータを保持します。NORフラッシュの特徴はセルが配線に直接つながっており、個別のアドレスを指定してデータを読み出せる点です。これにより高速な読み出しとランダムアクセスが得意になり、実行時コードをそのまま読み出して実行できるXIPと呼ばれる使い方も可能です。用途としては小容量のファームウェアや起動コードの格納に向いています。

NORフラッシュの仕組み

NORセルは各セルが配線に直結しておりアドレスごとにデータを読み出します。読み出しは素早く行えますが書き換えには時間がかかり消去もブロック単位で行われます。通常は書き込みと消去の作業は慎重に行いデータの整合性を保つ仕組みが重要です。

読み出しと書き込みの違い

NORフラッシュは読み出しが速いのが大きな利点です。必要なデータを必要な場所から取り出すランダム読み出しが得意です。一方書き込みや消去はブロック単位で行われることが多く作業時間が長くなる場合があります。データの更新頻度が低い用途に向いています。

NORフラッシュとNANDフラッシュの違い

特徴	NORフラッシュ	NANDフラッシュ
読み出し	高速なランダム読み出し	大容量向きだがランダム性は劣る
書き込み/消去	ブロック単位での消去とページ単位の書き込み	大容量ブロックでの消去とページ書き込み
容量とコスト	高価で容量は限られる	コストが低く大容量化が容易
用途	ファームウェア保存起動コード実行時コードの格納	大容量データ保存ムーブ可能なストレージ

使い方のポイントと選び方

組み込み機器やマイコンのファームウェアを格納する場合には NORフラッシュが適しています。実行時コードを直接読み出して使うXIPが必要なら NORを選ぶと良いです。一方大容量データを保存する場合やコストを抑えたい場合には NANDフラッシュが適しています。

まとめ

このように NORフラッシュは高速な読み出しとランダムアクセスが強みの不揮発性メモリです。ただし容量あたりのコストが高く書き換えには時間がかかる点に注意しましょう。適切な用途を選べば組み込み機器の信頼性を高める強力な選択肢になります。

norフラッシュの同意語

NORフラッシュメモリ: 不揮発性のメモリの一種で、アドレス単位の読み出しが可能なフラッシュメモリです。書き換えはブロック単位・ページ単位で行われ、NAND型に比べて読み出しは速いが書き換えは遅いことが多いため、主にコード格納や起動用領域として使われます。
NOR型フラッシュメモリ: NOR型構造のフラッシュメモリのこと。読み出しをアドレス指定で行える点が特徴で、書き換えは通常ブロック単位。実装としてはコード格納用に使われることが多いです。
NOR型フラッシュ: NOR型フラッシュメモリを指す別表現。読み出しのランダムアクセス性が高く、起動コードの格納に向きます。
NORメモリ: NORフラッシュメモリの略称として用いられる表現。読み出しが速く、アドレス単位でのアクセスが可能な不揮発性メモリです。
NORフラッシュデバイス: NORフラッシュを搭載したデバイスや部品の総称。実機やチップとしての実装を指す言い換えです。
NOR型不揮発性メモリ: 不揮発性メモリのうち、NOR型の構造を採用しているメモリのこと。読み出しはランダム性が高く、書き換えはブロック単位で行われます。
NOR型記憶素子: NOR型の記憶素子を指す表現。専門的な表現で、技術解説などで使われます。

norフラッシュの対義語・反対語

NANDフラッシュ: NORフラッシュの対照的な構造を持つ別種のフラッシュメモリ。容量あたりのコストが低く、データをブロック単位で管理する点がNORと異なる。用途は大容量・低コストのストレージに向くことが多い。
RAM（揮発性メモリ）: 電源を切るとデータが消える性質のメモリ。NORフラッシュは非揮発性のため、対になる概念として挙げられる。
DRAM: 代表的な揮発性メモリの一種。NORフラッシュの対義語として、揮発性・更新頻度の違いを理解するのに役立つ。
SRAM: 揮発性メモリの一種。速度は速いが容量は小さく、コストが高い性質。NORフラッシュの反対の特性を理解するのに役立つ。
ROM: 読み出し専用の非揮発性メモリ。更新が難しい点でNORフラッシュとは異なり、用途が限定的。対比として使える。
揮発性メモリ: 電源を切るとデータが消える性質のメモリ。NORフラッシュは非揮発性の性質の対義概念として挙げられる。
ORゲート: NORはNot OR（否定のOR）という論理演算の一種。対になる基本ゲートとしてORゲートを挙げると、論理の反対概念として理解しやすい。

norフラッシュの共起語

NANDフラッシュ: NORフラッシュと対照的な別種のフラッシュメモリ。大容量化が進み、書き込み・消去はブロック単位で行われ、容量対コストが安い。
非揮発性メモリ: 電源を切ってもデータを保持する記憶媒体の総称。フラッシュメモリはこの一種。
フラッシュメモリ: 半導体を用いた不揮発性メモリの総称。電源を切ってもデータを保持。NOR/NANDが代表的なタイプ。
読み出し速度: NORフラッシュはランダムアクセス読み出しが速い特徴を持ち、コードの実行や読み出しに適する。
書き込み/消去寿命: データを書き換える回数の限界を表す指標。NORもNANDも有限で、寿命を考慮して運用する。
ブロック/ページ/セクション: 消去はブロック単位、読み出しはページ単位など、階層構造を持つ。
アドレス空間: 任意のアドレス位置を読み出せる性質があり、ランダムアクセスが比較的容易。
実行可能コード格納/XIP: NORフラッシュはコードを直接実行できる（XIP：Execute In Place）用途に向くことが多い。
組み込み機器/エンベデッド: 小型デバイスや組み込みシステムで、ブートコードやファームウェアの格納に広く使われる。
ファームウェア更新: デバイスのファームウェアを格納・更新する用途として用いられる。
ECC/エラー訂正コード: データの整合性を保つため、誤りを検出・訂正するコードを用いることが多い。
コスト/容量の関係: NORは一般的にNANDより単位容量あたりのコストが高く、容量は小〜中程度に向くことが多い。
用途例: ブートROMやコード格納、起動時のコード読み出し、XIP用途などが挙げられる。
ウェアレベリング: 書き換えの偏りを抑える技術。主にはNANDで使われるが、NORにも関連する考慮がされることがある。
低消費電力/省電力: 動作電力を抑える設計が進み、省電力デバイスでの採用が進む。

norフラッシュの関連用語

NORフラッシュ: 非揮発性のフラッシュメモリの一種で、セルごとに読み出し可能なランダムアクセス型。読み出しはアドレスを指定して行え、書き込みはページ単位、消去はブロック（セクター）単位で実施されます。ブート用メモリや実行時コードの格納（XIP）にも適しています。
NANDフラッシュ: 密度は高く大容量化に向くフラッシュ。読み出しは連続アクセスが得意で、書き換えはブロック単位。ストレージ用途に多く使われます。
フラッシュメモリ: 不揮発性の記憶媒体の総称。電源を落としてもデータが保持され、NOR/NANDといった型に分類されます。
SPIフラッシュ: シリアル・ペリフェラル・インタフェース（SPI）を使って接続するフラッシュ。低コスト・少ピンで組込み機器に広く用いられ、読み出し・書き込み・消去の操作をシリアルで行います。
シリアルフラッシュ: SPIフラッシュなど、シリアルなインタフェースで接続するフラッシュの総称。
パラレルNOR: データバス幅が広い並列インタフェースの NOR フラッシュ。高速だがコストとボード面積が大きい場合が多いです。
3D NORフラッシュ: NORフラッシュを縦方向に積層した3D構造のフラッシュ。大容量化と小型化を両立しやすいです。
読み出し: データを読み取る操作。NORフラッシュはランダムアクセスが可能で、任意のアドレスからデータを取り出せます。
書き込み: データを書き込む操作。通常はページ単位で実行します。
消去: データを消去する操作。書き換えの前に必要となり、ブロックまたはセクター単位で行われます。
セクター/ブロック: 消去の単位。NORフラッシュではセクター（ブロック）単位での消去が一般的です。
ページ: 書き込みの最小単位。容量とデバイスにより異なり、数十〜数百バイト程度のデータを1回の書き込みで扱います。
CFI: Common Flash Interface の略で、フラッシュデバイスの特性情報をホスト側に提供する規格・仕様の集合です。
ECC: エラー検出・訂正コード。データの誤りを検出・訂正する仕組みで、信頼性を高めます。主にNANDで重要ですがNORでも使われることがあります。
ウェアレベリング: 書換え回数を均等化してデバイスの寿命を延ばす技術。主に大容量のNANDで重要ですが、使われる場面もあります。
XIP: Execute In Place の略。フラッシュから直接コードを実行する方式で、NORのランダムアクセス特性が向いています。
ISP: In-System Programming の略。機器上の状態でファームウェアを更新・書き換えすること。
BIOS/UEFI用ROM: PCの起動時に必要なファームウェアを格納する不揮発性メモリ領域。多くはNORフラッシュが使われます。
JEDEC規格: JEDEC が定める半導体規格。フラッシュのインタフェース・電気特性などを標準化します。
フラッシュコントローラ: フラッシュメモリへの操作を仲介する回路。内部・外部の形で存在し、読み出し・書き込みのタイミングを管理します。
NORセル: NORフラッシュのセル構造。単独のセルを直読できる設計で、ランダムアクセスに向いています。
NANDセル: NANDフラッシュのセル構造。セルを連結させて高密度にデータを格納します。書き換えはブロック単位が基本です。
NVRAM: Non-Volatile RAM の略。不揮発性と高速RAM的な特性を併せ持つ概念で、用途としてはフラッシュ代替や補助メモリを指すことがあります。
EEPROM: 電気的に消去・書き換え可能なROM。少容量の不揮発性メモリとして使われ、広義にはフラッシュ以前の技術として位置づけられます。