

高岡智則
年齢:33歳 性別:男性 職業:Webディレクター(兼ライティング・SNS運用担当) 居住地:東京都杉並区・永福町の1LDKマンション 出身地:神奈川県川崎市 身長:176cm 体系:細身〜普通(最近ちょっとお腹が気になる) 血液型:A型 誕生日:1992年11月20日 最終学歴:明治大学・情報コミュニケーション学部卒 通勤:京王井の頭線で渋谷まで(通勤20分) 家族構成:一人暮らし、実家には両親と2歳下の妹 恋愛事情:独身。彼女は2年いない(本人は「忙しいだけ」と言い張る)
スパッタリング法・とは?
スパッタリング法は薄膜を作るための代表的な成膜技術です。基板の上に非常に薄い材料の膜をのせていく方法で、電子機器やガラスのコーティングなど、身近なところで使われています。
仕組み
真空チャンバーの中でターゲットと呼ばれる材料を高エネルギーの粒子で刺激します。アルゴンなどのガスを使ってプラズマを作り、ターゲットの原子が飛び出して基板の表面に付着します。
このとき膜の厚さはデポジション時間で決まり、基板の温度や表面の性質、圧力などの条件が品質に影響します。膜は強く密着し、広い範囲に均一に成長します。
主な種類
・DCスパッタリングは導電性の材料に適します。
・RFスパッタリングは絶縁体にも対応できます。
・マグネトロンスパッタリングは磁場を使い、イオン化を高めて膜の品質と均一性を向上させます。
実務のポイント
チャンバーを真空にしてガスを注入します。圧力は低く、数パスカルから数十パスカル程度です。ターゲットへ電力を加え、原子を飛ばします。膜の厚さはデポジション時間で決まり、基板温度や表面の状態も結果に影響します。
どんな材料に使われるかを知ることは大切です。金属や合金、セラミックスの薄膜が作れ、太陽電池の薄膜、ガラスのコーティング、光学部品の保護膜など多様な用途があります。
特徴をまとめた表
| 説明 | |
|---|---|
| 原理 | ターゲット素材を粒子で飛ばして基板に付着させる |
| 特徴 | 膜の均一性が高く、広い材料が使える |
| 注意点 | 高電圧と真空設備が必要、ターゲットの消耗あり |
メリットとデメリット
メリット:膜の密着性と均一性が高く、薄膜の厚さを正確にコントロールできます。
デメリット:装置コストが高く、ターゲットの消耗と基板へのダメージリスクがあります。
初心者へのアドバイス
安全第一で基礎を理解することが大切です。小さな試料から始め、デポジション時間と圧力を少しずつ変えながら膜厚の感覚をつかみましょう。
スパッタリング法の同意語
- スパッタリング法
- ガス中でターゲットをイオン化し、基板上に薄膜を形成する真空中の薄膜形成法の総称です。
- スパッタ法
- スパッタリング法の略称で、薄膜を作る蒸着法の一つを指します。
- スパッタ蒸着
- スパッタリングを用いて薄膜を蒸着させる方法の呼び名の一つです。
- 陰極スパッタリング
- 陰極側でターゲットをスパッタさせて薄膜を形成する方式です。
- DCスパッタリング
- 直流電源で行うスパッタリング。主に導電性ターゲットに用います。
- RFスパッタリング
- 高周波交流電源を使うスパッタリング。絶縁性ターゲットにも対応します。
- マグネトロンスパッタリング
- 磁場を用いてスパタを促進する代表的な手法です。
- 磁場付きスパッタリング
- 磁場を利用してスパタを安定化・効率化する手法の一般表現です。
- 反応性スパッタリング
- 反応性ガスを加えて酸化物・窒化物などの化合物薄膜を形成する手法です。
- PVDの一種としてのスパッタリング
- 物理気相蒸着法(PVD)の一種で、ターゲットをイオン化して薄膜を形成する方法です。
スパッタリング法の対義語・反対語
- 蒸着法(蒸発・熱蒸着を含む総称)
- スパッタリング法の対義語として、材料を蒸発させて基板上に薄膜を堆積する方法。エネルギー源は熱・電子ビームなどで、基板へ材料を物理的に打ち付けるのではなく蒸発して沈着させる点が特徴。
- 熱蒸着法
- 材料を高温で蒸発させ、蒸気を基板上に凝縮させて薄膜を形成する方法。スパッタリングのイオン打撃による堆積とは異なる原理。
- 電子ビーム蒸着法
- 電子ビームを用いて材料を蒸発させ、薄膜を形成する蒸着法。局所的に材料を蒸発させる点が特徴で、スパッタリングとは別の沈着機構。
- 化学蒸着法(Chemical Vapor Deposition, CVD)
- 化学反応により基板表面で薄膜を形成する方法。物理的な材料の堆積ではなく、化学反応を利用する点がスパッタリングの対極。
- 真空蒸着法
- 真空環境下で蒸着を行う薄膜形成法の総称。スパッタリング以外の蒸着技術を含むため、対義語として挙げられる。
- 電解沈着法(Electroplating / Electrochemical Deposition)
- 電解反応により溶液中のイオンを基板へ沈着させる薄膜形成法。物理的なイオン打撃による堆積を行うスパッタリングとは異なる発生機構。
スパッタリング法の共起語
- 真空
- 薄膜成長の環境を不活性に保つ低圧空間。酸素や水分の混入を抑え、粒子の運動を安定させます。
- チャンバー
- 成膜を行う装置内部の空間。ガス管理・真空ポンプで雰囲気を統制します。
- アルゴン
- スパッタリングで最も一般的な不活性ガス。ターゲットを衝突させて原子を放出させます。
- 低圧
- ガス中の分子密度が低い状態。スパッタの衝突経路を整え、膜の品質を安定させます。
- ターゲット材
- 薄膜の材料になる固体。金属・酸化物・窒化物などのブロック状素材。
- 基板
- 薄膜が堆積する対象物。ウェーハ・ガラス・金属などを用います。
- 膜厚
- 形成される薄膜の厚さ(ナノメートル単位が多い)。
- 堆積速度
- 単位時間あたりの膜厚の成長量。成膜効率の指標です。
- 膜厚分布
- 基板各部の膜厚のばらつき。均一性を評価します。
- 膜質
- 薄膜の品質の総称。欠陥の少なさや密度などを含みます。
- 結晶性
- 薄膜の結晶構造。単結晶・多結晶・アモルファスの程度を指します。
- 表面粗さ
- 薄膜表面の滑らかさの指標。Raなどで表されます。
- 密着性
- 基板と薄膜の付着強さ。剥離を抑える重要項目です。
- 応力
- 薄膜に内在する力。膜の膨らみや亀裂の原因になることがあります。
- 基板温度
- 成膜時の基板の温度。結晶性・密着性・応力に影響します。
- 磁場
- スパッタリング効率を高め、ターゲットのエネルギー分布を制御します。
- マグネトロン
- 磁場を生成してスパッタリングを行う部品。磁場を用いる代表的な方式です。
- 磁気スパッタリング
- 磁場を活用して高密度のプラズマを作り出す方法。効率が上がります。
- DCスパッタリング
- 直流電源で堆積する方式。金属薄膜に多いです。
- RFスパタッタリング
- 交流電源を使用して誘電体・絶縁体薄膜を堆積する方式。
- リアクティブスパッタリング
- 酸素・窒素などの反応性ガスと反応させ、酸化物・窒化物薄膜を形成する方法。
- 酸素
- 酸化物薄膜を作る際に使われる反応性ガスの一つ。
- 窒素
- 窒化物薄膜を作る際に使われる反応性ガスの一つ。
- 酸化物薄膜
- 酸化物を含む薄膜(例: TiO2, Al2O3 など)。
- 窒化物薄膜
- 窒化物を含む薄膜(例: TiN, Si3N4 など)。
- 光学コーティング
- レンズや鏡の反射・透過特性を改善する薄膜の用途。
- 半導体薄膜
- 半導体デバイスの活性層やパターン形成に用いられる薄膜。
- 脱ガス
- 成膜前にチャンバー内の不純物を排出・除去する前処理。
- ターゲット摩耗
- スパッタリングでターゲット材が削られ、寿命が縮む現象。
スパッタリング法の関連用語
- スパッタリング法
- ターゲット材料を高エネルギーイオンで励起して原子を剥離させ、基板上に薄膜を成長させる真空中の物理蒸着法の一種。
- ターゲット材料
- スパッタリングの原料となる固体。金属・金属酸化物・窒化物など、堆積したい膜の素材に応じて選ぶ。
- 基板
- 薄膜を堆積させる基材。シリコン、ガラス、セラミックなど、用途に合わせて選定する。
- プラズマ
- ガスを電離して生じる荷電粒子の集合体。スパッタリングの反応とイオン化を担う。
- ガス種
- スパッタリングに使われるガス。最も一般的なのはアルゴン。酸素や窒素を混ぜて反応性を持たせることもある。
- 圧力
- チャンバー内のガス圧。低圧ほどイオンの飛翔距離が長く、膜の成長性や均一性に影響。
- 基板温度
- 成膜中の基板の温度。結晶性・密度・粘着性などに影響を与える。
- DCスパッタリング
- 直流電源を使って金属ターゲットをスパッタする手法。 conductiveターゲット向き。
- RFスパッタリング
- 交流のRF電源を使い、絶縁ターゲットにも適用できるスパッタリング。多様な材料で利用。
- マグネトロンスパッタリング
- 磁場を利用して陰極近傍の電子を閉じ込め、高効率でイオン化を促進する方式。高堆積速度。
- 反応性スパッタリング
- 酸素や窒素などの反応性ガスを導入して酸化物・窒化物膜を成膜する技術。
- 基板バイアス
- 基板に電圧を印加してイオンエネルギーを制御し、膜の密度・組成・表面性状を調整する。
- プレスパタリング/プリスパット
- 成膜前にターゲット表面を清浄化して、汚染層を除去する前処理工程。
- 膜厚・均一性
- 膜の厚さと、基板全体での厚さの均一さを示す指標。
- 組成制御
- ターゲットとガスの比・圧力・温度を調整して、膜の化学組成を目的通りに保つ。
- 膜の結晶性
- 膜材料の結晶構造の度合い。高い結晶性は機械的・電気的特性に影響。
- 膜の応力
- 堆積時に生じる膜内部の応力。過大だと曲がりや剥離の原因となることがある。
- ターゲット侵食
- スパッタリングでターゲット表面が侵食され、ターゲットの寿命とコストに影響を与える現象。
- 真空度/真空チャンバー
- 不純物を避けるために高真空環境を維持する。成膜品質に直結する。
- エネルギー分布
- 到来するイオン・原子のエネルギー分布。膜の密度・結晶性・欠陥密度に影響。
- XRD
- X線回折によって膜の結晶性や結晶サイズを調べる分析法。
- XPS
- X線光電子分光によって膜の表面組成と化学状態を分析する表面分析法。
- AFM
- 走査型原子力顕微鏡で膜表面の粗さやトポグラフィを評価する分析法。
- 成膜モード
- 膜が成長する際のモード。等方成長、層状成長、粒子成長など成膜機構の違いを指す。
スパッタリング法のおすすめ参考サイト
- スパッタリング法とは?原理や特徴、種類について解説 - KOBELCO
- スパッタとは | スパッタリングターゲット - JX金属
- スパッターとは? 意味や使い方 - コトバンク
- スパッタリングとは | コーティング技術解説コラム | 技術・研究開発
- スパッタ法とは? | 三和メッキ工業株式会社
- スパッタとは | スパッタリングターゲット - JX金属
- スパッタリングとは|真空装置設計製作のコミヤマエレクトロン



















