

高岡智則
年齢:33歳 性別:男性 職業:Webディレクター(兼ライティング・SNS運用担当) 居住地:東京都杉並区・永福町の1LDKマンション 出身地:神奈川県川崎市 身長:176cm 体系:細身〜普通(最近ちょっとお腹が気になる) 血液型:A型 誕生日:1992年11月20日 最終学歴:明治大学・情報コミュニケーション学部卒 通勤:京王井の頭線で渋谷まで(通勤20分) 家族構成:一人暮らし、実家には両親と2歳下の妹 恋愛事情:独身。彼女は2年いない(本人は「忙しいだけ」と言い張る)
π受容性配位子とは?
化学の世界には金属と有機分子が作る錯体があり、そこでは電子のやり取りが重要な役割を果たします。π受容性配位子とは、配位子が金属から「電子を受け取る」性質を持つ配位子のことです。ここでの「π」とはπ結合の電子の広がりを指し、配位子が金属からの電子をπの道を通じて受け取ることを意味します。
この性質は金属と配位子の間での結合を安定させ、錯体の反応性に影響を与えます。特に金属のd軌道と配位子のπ*軌道の間で電子の流れが生じるバックボンディングと呼ばれる現象が関係します。配位子がπ受容性を持つと、金属が出す電子を受け取り、金属の電子密度を適度に下げたり調整したりすることができます。
よく知られた例として、CO(一酸化炭素)やCN−、NO+ などが挙げられます。これらの分子は強いπ受容性を持つため、金属と結合したときに金属の電子状態を変え、触媒の性質を変える役割を果たします。
なぜπ受容性配位子が重要か
触媒反応の設計では、配位子の性質を理解することがとても大切です。π受容性配位子を選ぶと、バックボンディングを通じて金属の電子密度を適度に下げることができ、反応経路を変えたり選択性を高めたりすることが可能になります。
また、π受容性配位子は光学的性質にも影響を及ぼします。配位子の電子の受け渡し方によって、錯体が光を吸収したり発光したりする性質が変わるからです。
代表的な例と表
以下の表は、代表的なπ受容性配位子とその性質の概要を示したものです。実験室での理解を助けるための簡易ガイドとして活用してください。
| 例 | 性質のポイント | 役割の説明 |
|---|---|---|
| CO | 非常に高いπ受容性 | 金属の電子を引き寄せ、反応性を制御 |
| CN− | 強いπ受容性とσドナー性の両立 | 電子状態を細かく調整 |
| NO+ | π受容性が強い | 金属の酸化状態に影響 |
このようにπ受容性配位子は、金属と配位子の結合を通じて、錯体の性質をさまざまな方向に変えることができます。
重要なポイント
- π受容性配位子は金属から電子を受け取る性質を持つことが基本です。
- バックボンディングはそのメカニズムの中心で、金属のd軌道と配位子のπ*軌道が関与します。
- 実験設計では、配位子の選択が触媒の活性と選択性に直結します。
学習のまとめ
π受容性配位子は、化学の錯体の世界で電子の流れを制御する重要な道具です。COのような代表的な配位子を例に、π結合とバックボンディングの考え方を覚えると、金属錯体の性質を読み解く力がつきます。中学生にも理解できるポイントは、配位子が「電子を受け取る側」であり、それが金属-配位子間の結合を強くしたり緩くしたり、反応の道筋を決めるという点です。
π受容性配位子の同意語
- π受容性配位子
- 金属のd軌道から供与された電子密度を自身のπ*軌道へ受け取り、背面電子供与(back-donation)を受け入れやすい性質を持つ配位子。π結合を介して金属と結合するリガンドの一種。
- π受容性リガンド
- π受容性配位子と同義の表現。リガンドは配位子の別称で、π受容性の性質を持つものを指します。
- πアクセプター配位子
- 同義。金属からの電子を自身のπ*軌道へ受け入れる性質を持つ配位子。
- πアクセプターリガンド
- 同義。π受容性を示すリガンドの別表現。
- π-acceptor ligand
- 英語表記の同義語。金属からの電子をπ*軌道へ受け取り、背面供与を容易にするリガンドのこと。
π受容性配位子の対義語・反対語
- π供与性配位子
- π軌道を介して金属へ電子を供与する配位子。π受容性配位子の対義語として用いられ、π経路で電子を渡す性質が強いことを指します。
- σ供与性配位子
- 主にσ結合を介して金属へ電子を供与する配位子。π受容性配位子とは異なる電子供与の経路で働くため、対比として挙げられることが多いです。
- π非受容性配位子
- π結合を介した電子受け渡しをほとんど行わない、または弱い配位子。π受容性が低い、あるいはないと説明されることがあります。
- π相互作用を介さない配位子
- π軌道を使った電子授受が中心でない配位子の言い換え表現。初心者向けには“πに依存しない配位子”とも言われます。
π受容性配位子の共起語
- CO (カルボニル)
- π受容性配位子の代表例。金属と強いπバックボンディングを形成し、金属のd軌道電子をπ*へ渡す機能を持つ。
- CN- (シアノ基)
- π受容性配位子の代表例。線形系で高いπ受容性を示し、金属との結合を安定化させる。
- NO+ (一酸化窒素イオン)
- 強いπ受容性を示す配位子。金属とのπバックボンディングを促進することがある。
- πバックボディング
- 金属のd軌道電子が配位子のπ*軌道へ戻る相互作用。π受容性配位子の機能の核心。
- πバックボンディング
- 同上。金属から配位子への電子の還流により結合を安定化する機構。
- σドナー性配位子
- 電子を金属へ供与する性質を持つ配位子。π受容性配位子と対をなすことが多いが、混在することもある。
- 電子供与
- 配位子が金属へ電子を供与する現象。π受容性配位子は通常電子の受容が主だが、場によっては供与性を示すこともある。
- 電子受容
- 配位子が金属から電子を受け取る性質。π受容性配位子の特徴のひとつ。
- 金属錯体
- π受容性配位子が結合して形成される金属中心を含む化合物・化学種。
- π受容体軌道
- 配位子のπ系が受け取る軌道のこと。π受容性の機能を説明する重要概念。
- d-π相互作用
- 金属のd軌道と配位子のπ系が関与する相互作用。π受容性配位子の影響を説明する。
- 遷移金属
- π受容性配位子は遷移金属錯体で特に重要な役割を果たすことが多い。
- 配位子場理論 (LFT)
- 配位子の電子特性を理論的に扱う枠組み。π受容性の影響を含む説明に使われる。
π受容性配位子の関連用語
- π受容性配位子
- 金属中心のd軌道から配位子のπ*軌道へ電子を受け渡す性質を持つ配位子。代表例としてCO、CN−、NO+、イソシアニドなどがあり、背面結合を通じて金属と配位子の間に安定な結合を作る。
- π受容性
- 配位子が金属から受け取る電子をπ*軌道へ取り込む能力。π受容性が高いほど、金属から配位子への背面供与(バックボンディング)が進みやすくなる。
- πバックボンディング
- 金属のd軌道から配位子のπ*軌道へ電子を流して結合を安定化させる相互作用。π受容性配位子の核心的な結合機構。
- 背面結合
- back-donation の日本語表現。金属から配位子へ電子密度が移動する現象を指す。
- COリガンド
- 一酸化炭素配位子。σ結合で電子を供与しつつ、π受容性により金属からの電子をπ*へ受け取る、典型的なπ受容性配位子。CO結合のν(CO)振動数は背面結合の強さを示す指標として用いられる。
- CN−リガンド
- シアノ配位子。CN−は強いπ受容性を示すことが多く、背面結合を介して金属と安定な結合を作る。
- NO+リガンド
- nitrosyl リガンドとしてNO+を含む配位子。非常に強いπ受容性を持ち、金属とのπバックボンディングを強化する。
- イソシアニド配位子
- イソシアニド配位子(R−NC)は、σドナーかつπ受容性を持つ。COと同様に背面結合を通じて金属の電子構造に影響を与える。
- π供与性配位子
- π軌道を介して金属へ電子を供与する配位子。典型例としてハロゲン化物やアルコキシドなどが挙げられ、π-donorとして金属のd軌道に電子を供給する。
- σ供与性配位子
- 主にσ結合で電子を供与する配位子。π受容性とは異なる性質で、電子数の調整や結合の安定化に寄与する。
- MO理論
- 分子軌道理論。π受容性/π供与性は金属と配位子の分子軌道の相互作用として説明され、バックボンディングやπ結合の性質を理解する基礎となる。
- ν(CO)周波数
- CO伸縮振動数。自由分子COのνは約2143 cm−1だが、金属と結合すると低下する。低いν(CO)は強いπバックボンディングを意味し、π受容性の強さを示す指標になる。
- スペクトルによるπ受容性評価
- IRおよびUV-Visスペクトルを用いてπ受容性を評価する。COのν(CO)の低下やd–π*遷移のエネルギー変化を手掛かりにする。
- L型配位子
- 中性で2電子を供与する通常の配位子の分類。π受容性とは別の観点だが、総電子数の計算や性質を語る際に併用される。
- X型配位子
- 負電荷を持ち、2電子を供与するタイプの配位子。電子数と結合性を考える際の基礎用語。



















